浙江大学硅材料国家重点实验室传来消息，该实验室24日成功“拉”出了一条具有我国自主知识产权的12英寸掺氮硅单晶。

    硅单晶是计算机、通信和网络等信息微电子产业的基础材料，随着信息微电子产业的飞速发展，日益要求硅单晶“大直径，无缺陷”。从最初的3英寸到现在的12英寸，硅单晶直径越来越大，“微缺陷”问题也更加突现，已对硅单晶和超大规模集成电路形成致命影响。

    硅中掺氮，已经被证明可以控制硅单晶上的一些“微缺陷”。据硅材料国家重点实验室杨德仁教授介绍，西方发达国家在这方面具有自己独特的技术，并一度形成了技术垄断。这些技术主要是用在6—8英寸硅单晶上，但12英寸硅单晶的掺氮技术，世界上还没有相关专利。

    据了解，浙大利用具有我国自主知识产权的“减压充氮生长微氮直拉硅单晶技术”，研制成功的12英寸掺氮硅单晶，目前已申请了3项国家发明专利。